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IXTH6N50D2

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Artikelnummer
IXTH6N50D2
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 6A TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXTH6N50D2.pdf
Gesamt:$6.30000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$6.30000

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Artikelnummer
IXTH6N50D2
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 6A TO247
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 3A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
96nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 25V
FET-Funktion
Depletion Mode
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 (IXTH)
Paket / fall
TO-247-3

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