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PMFPB8032XP,115

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Artikelnummer
PMFPB8032XP,115
Hersteller
Nexperia
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PMFPB8032XP,115.pdf
Gesamt:$0.29520
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
PMFPB8032XP,115
Hersteller
Nexperia
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 10V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
485mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
6-HUSON-EP (2x2)
Paket / fall
6-UDFN Exposed Pad

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