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SQJ456EP-T1_GE3

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Artikelnummer
SQJ456EP-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SQJ456EP-T1_GE3.pdf
Gesamt:$2.95235
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$2.95235

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Artikelnummer
SQJ456EP-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
32A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3342pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Paket / fall
PowerPAK® SO-8

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