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STU3N62K3

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Artikelnummer
STU3N62K3
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STU3N62K3.pdf
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Artikelnummer
STU3N62K3
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
620V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
385pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Paket / fall
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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