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CDBJSC5650-G

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Artikelnummer
CDBJSC5650-G
Hersteller
Comchip Technology
Beschreibung
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
CDBJSC5650-G.pdf
Gesamt:$2.47000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$2.47000

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Artikelnummer
CDBJSC5650-G
Hersteller
Comchip Technology
Beschreibung
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Teilestatus
Active
Diodentyp
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
5A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 5A
Geschwindigkeit
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
100µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F
430pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-220-2 Full Pack
Supplier Device Package
TO-220F
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 175°C

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