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SI5908DC-T1-E3

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Artikelnummer
SI5908DC-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI5908DC-T1-E3.pdf
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Artikelnummer
SI5908DC-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
1.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package
1206-8 ChipFET™

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