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DMNH10H028SPSQ-13

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Artikelnummer
DMNH10H028SPSQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMNH10H028SPSQ-13.pdf
Gesamt:$1.05312
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(In US-Dollar)
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$1.05312

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Artikelnummer
DMNH10H028SPSQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2245pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerDI5060-8
Paket / fall
8-PowerTDFN

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