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MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR

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Artikelnummer
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR
Hersteller
Micron Technology
Beschreibung
IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR.pdf
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Artikelnummer
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR
Hersteller
Micron Technology
Beschreibung
IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA
Teilestatus
Obsolete
Speichertyp
Volatile
Speicherformat
DRAM
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße
4Gb (128M x 32)
Taktfrequenz
166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
15ns
Zugriffszeit
5.0ns
Speicherschnittstelle
Parallel
Spannungsversorgung
1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur
-25°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
168-WFBGA
Supplier Device Package
168-WFBGA (12x12)

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