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STB12NK80ZT4

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Artikelnummer
STB12NK80ZT4
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STB12NK80ZT4.pdf
Gesamt:$2.63479
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$2.63479

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Artikelnummer
STB12NK80ZT4
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
10.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 5.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2620pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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