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SIHD6N62ET1-GE3

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Artikelnummer
SIHD6N62ET1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIHD6N62ET1-GE3.pdf
Gesamt:$0.72534
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Artikelnummer
SIHD6N62ET1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
620V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
578pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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