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STU6N60M2

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Artikelnummer
STU6N60M2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STU6N60M2.pdf
Gesamt:$1.53000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.53000

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Artikelnummer
STU6N60M2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V IPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
13.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
232pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Paket / fall
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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