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STH110N10F7-2

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Artikelnummer
STH110N10F7-2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STH110N10F7-2.pdf
Gesamt:$1.70825
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(In US-Dollar)
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$1.70825

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Artikelnummer
STH110N10F7-2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
5117pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
H2Pak-2
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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