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SF2008GHC0G

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Artikelnummer
SF2008GHC0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SF2008GHC0G.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.42000

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Artikelnummer
SF2008GHC0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AB
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
20A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 10A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
80pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 150°C

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