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PMN25UN,115

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Artikelnummer
PMN25UN,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PMN25UN,115.pdf
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Artikelnummer
PMN25UN,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
470pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
6-TSOP
Paket / fall
SC-74, SOT-457

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