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JAN1N6474US

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Artikelnummer
JAN1N6474US
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$40.81000
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$40.81000

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Artikelnummer
JAN1N6474US
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF
Teilestatus
Active
Art
Zener
Unidirektionale Kanäle
1
Bidirektionale Kanäle
-
Spannung - Reverse Standoff (Typ)
30.5V
Spannung - Durchschlag (min.)
33V
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
47.5V
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs)
181A (8/20µs)
Leistung - Spitzenimpuls
1500W (1.5kW)
Stromleitungsschutz
No
Anwendungen
General Purpose
Kapazität bei Frequenz
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SQ-MELF, G
Supplier Device Package
G-MELF (D-5C)

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