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FF200R12KT4HOSA1

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Artikelnummer
FF200R12KT4HOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT MODULE 1200V 200A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FF200R12KT4HOSA1.pdf
Gesamt:$105.85000
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(In US-Dollar)
1Stck
$105.85000

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Artikelnummer
FF200R12KT4HOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT MODULE 1200V 200A
Teilestatus
Active
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Aufbau
Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
320A
Leistung max
1100W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce
14nF @ 25V
Eingang
Standard
NTC-Thermistor
No
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
Module
Supplier Device Package
Module

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