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IPD034N06N3GATMA1

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Artikelnummer
IPD034N06N3GATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPD034N06N3GATMA1.pdf
Gesamt:$0.76831
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(In US-Dollar)
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$0.76831

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Artikelnummer
IPD034N06N3GATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 93µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
11000pF @ 30V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
167W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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