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PSMN102-200Y,115

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Artikelnummer
PSMN102-200Y,115
Hersteller
Nexperia
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PSMN102-200Y,115.pdf
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Artikelnummer
PSMN102-200Y,115
Hersteller
Nexperia
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
21.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
102 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
30.7nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1568pF @ 30V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
113W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall
SC-100, SOT-669

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