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BSC0921NDIATMA1

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Artikelnummer
BSC0921NDIATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSC0921NDIATMA1.pdf
Gesamt:$0.70224
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$0.70224

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Artikelnummer
BSC0921NDIATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
17A, 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1025pF @ 15V
Leistung max
1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TISON-8

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