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SQP100P06-9M3L_GE3

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Artikelnummer
SQP100P06-9M3L_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SQP100P06-9M3L_GE3.pdf
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Artikelnummer
SQP100P06-9M3L_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
12010pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
187W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Paket / fall
TO-220-3

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