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STW13NM50N

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Artikelnummer
STW13NM50N
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 12A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STW13NM50N.pdf
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Artikelnummer
STW13NM50N
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 12A TO-247
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
960pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Paket / fall
TO-247-3

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