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TSM600N25ECH C5G

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Artikelnummer
TSM600N25ECH C5G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TSM600N25ECH C5G.pdf
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Artikelnummer
TSM600N25ECH C5G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
423pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
52W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-251 (IPAK)
Paket / fall
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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