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RR2L6SDDTE25

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Artikelnummer
RR2L6SDDTE25
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RR2L6SDDTE25.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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Artikelnummer
RR2L6SDDTE25
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS
Teilestatus
Not For New Designs
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.1V @ 2A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
-
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
DO-214AC, SMA
Supplier Device Package
PMDS
Betriebstemperatur - Übergang
150°C (Max)

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