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2SK3666-3-TB-E

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Artikelnummer
2SK3666-3-TB-E
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.09614
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.09614

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Artikelnummer
2SK3666-3-TB-E
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS)
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
1.2mA @ 10V
Stromaufnahme (Id) - max
10mA
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id
180mV @ 1µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4pF @ 10V
Widerstand - RDS (Ein)
200 Ohms
Leistung max
200mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
3-CP

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