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TSM680P06DPQ56 RLG

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Artikelnummer
TSM680P06DPQ56 RLG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TSM680P06DPQ56 RLG.pdf
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Artikelnummer
TSM680P06DPQ56 RLG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
68 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
16.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 30V
Leistung max
3.5W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
8-PDFN (5x6)

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