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STY60NM60

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Artikelnummer
STY60NM60
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 60A MAX247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STY60NM60.pdf
Gesamt:$14.38763
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(In US-Dollar)
1Stck
$14.38763

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Artikelnummer
STY60NM60
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 60A MAX247
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
266nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
7300pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
560W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
MAX247™
Paket / fall
TO-247-3

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