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RQ3E130BNTB

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Artikelnummer
RQ3E130BNTB
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RQ3E130BNTB.pdf
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Artikelnummer
RQ3E130BNTB
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
13A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-HSMT (3.2x3)
Paket / fall
8-PowerVDFN

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