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CSD88539ND

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Artikelnummer
CSD88539ND
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
CSD88539ND.pdf
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Artikelnummer
CSD88539ND
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
741pF @ 30V
Leistung max
2.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC

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