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RSJ250P10FRATL

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Artikelnummer
RSJ250P10FRATL
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
4V DRIVE PCH MOSFET AEC-Q101 QU
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RSJ250P10FRATL.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$0.76415

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Artikelnummer
RSJ250P10FRATL
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
4V DRIVE PCH MOSFET AEC-Q101 QU
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
25A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
63 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
8000pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
LPTS
Paket / fall
SC-83

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