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SI4925BDY-T1-E3

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Artikelnummer
SI4925BDY-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI4925BDY-T1-E3.pdf
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$0.56859

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Artikelnummer
SI4925BDY-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
1.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO

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