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DGD2101S8-13

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Artikelnummer
DGD2101S8-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DGD2101S8-13.pdf
Gesamt:$0.72000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.72000

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Artikelnummer
DGD2101S8-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Teilestatus
Not For New Designs
Angetriebene Konfiguration
Half-Bridge
Kanaltyp
Independent
Anzahl der Treiber
2
Gate-Typ
IGBT, N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung
10V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 2.5V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)
290mA, 600mA
Eingabetyp
Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap)
600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)
70ns, 35ns
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO

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