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DMN26D0UT-7

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Artikelnummer
DMN26D0UT-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN26D0UT-7.pdf
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Artikelnummer
DMN26D0UT-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
230mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
14.1pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-523
Paket / fall
SOT-523

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