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NVD5807NT4G

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Artikelnummer
NVD5807NT4G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
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Artikelnummer
NVD5807NT4G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
23A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
603pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
33W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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