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STL33N65M2

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Artikelnummer
STL33N65M2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
N-CHANNEL 650 V 0.124 OHM TYP.
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STL33N65M2.pdf
Gesamt:$2.62001
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$2.62001

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Artikelnummer
STL33N65M2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
N-CHANNEL 650 V 0.124 OHM TYP.
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
154 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
41.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1790pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerFlat™ (8x8) HV
Paket / fall
8-PowerVDFN

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