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IPZ40N04S5L2R8ATMA1

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Artikelnummer
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 8TDSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPZ40N04S5L2R8ATMA1.pdf
Gesamt:$0.62441
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Artikelnummer
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 8TDSON
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 30µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
71W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8
Paket / fall
8-PowerVDFN

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