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BSM180D12P3C007

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Artikelnummer
BSM180D12P3C007
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
SIC POWER MODULE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$525.71000
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(In US-Dollar)
1Stck
$525.71000

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Artikelnummer
BSM180D12P3C007
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
SIC POWER MODULE
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
5.6V @ 50mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 10V
Leistung max
880W
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
Module
Supplier Device Package
Module

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