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TRS8E65C,S1Q

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Artikelnummer
TRS8E65C,S1Q
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$7.48260
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$7.48260

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Artikelnummer
TRS8E65C,S1Q
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
Teilestatus
Active
Diodentyp
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
8A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 8A
Geschwindigkeit
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
90µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F
44pF @ 650V, 1MHz
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-220-2
Supplier Device Package
TO-220-2L
Betriebstemperatur - Übergang
175°C (Max)

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