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GT10G131(TE12L,Q)

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Artikelnummer
GT10G131(TE12L,Q)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
IGBT 400V 1W 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
GT10G131(TE12L,Q).pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
GT10G131(TE12L,Q)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
IGBT 400V 1W 8-SOIC
Teilestatus
Obsolete
IGBT-Typ
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
400V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
200A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.3V @ 4V, 200A
Leistung max
1W
Energie wechseln
-
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
-
Td (ein / aus) bei 25 ° C
3.1µs/2µs
Testbedingung
-
Reverse Recovery Time (trr)
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package
8-SOP (5.5x6.0)

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