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BR24G512FVT-3AGE2

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Artikelnummer
BR24G512FVT-3AGE2
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8TSSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BR24G512FVT-3AGE2.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
BR24G512FVT-3AGE2
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8TSSOP
Teilestatus
Active
Speichertyp
Non-Volatile
Speicherformat
EEPROM
Technologie
EEPROM
Speichergröße
512Kb (64K x 8)
Taktfrequenz
1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
5ms
Zugriffszeit
-
Speicherschnittstelle
I²C
Spannungsversorgung
1.7V ~ 5.5V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package
8-TSSOP-B

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