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DMG8822UTS-13

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Artikelnummer
DMG8822UTS-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMG8822UTS-13.pdf
Gesamt:$0.20955
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$0.20955

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Artikelnummer
DMG8822UTS-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
841pF @ 10V
Leistung max
870mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package
8-TSSOP

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