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APT31M100B2

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Artikelnummer
APT31M100B2
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
Bleifreier Status / RoHS-Status
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Artikelnummer
APT31M100B2
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
32A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
8500pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1040W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
T-MAX™ [B2]
Paket / fall
TO-247-3 Variant

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