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JAN1N6631US

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Artikelnummer
JAN1N6631US
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$21.37740
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$21.37740

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Artikelnummer
JAN1N6631US
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
1100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
1.4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.6V @ 1.4A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
60ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
4µA @ 1100V
Kapazität @ Vr, F
40pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
E-MELF
Supplier Device Package
D-5B
Betriebstemperatur - Übergang
-65°C ~ 150°C

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