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RJK03M5DNS-00#J5

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Artikelnummer
RJK03M5DNS-00#J5
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 25A HWSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RJK03M5DNS-00#J5.pdf
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Artikelnummer
RJK03M5DNS-00#J5
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 25A HWSON
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
25A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.4nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1890pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
15W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-HWSON (3.3x3.3)
Paket / fall
8-PowerWDFN

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