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IRF7341PBF

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Artikelnummer
IRF7341PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRF7341PBF.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
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Artikelnummer
IRF7341PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Teilestatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 25V
Leistung max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO

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