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Zuhause Produkte Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln NDBA100N10BT4H

NDBA100N10BT4H

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Artikelnummer
NDBA100N10BT4H
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)		 1Stck
$0.00000

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Artikelnummer
NDBA100N10BT4H
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.9 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2950pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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