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SIB911DK-T1-E3

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Artikelnummer
SIB911DK-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIB911DK-T1-E3.pdf
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Artikelnummer
SIB911DK-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
295 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
115pF @ 10V
Leistung max
3.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® SC-75-6L Dual

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