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SIHG30N60E-E3

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Artikelnummer
SIHG30N60E-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIHG30N60E-E3.pdf
Gesamt:$4.42980
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(In US-Dollar)
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$4.42980

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Artikelnummer
SIHG30N60E-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
29A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2600pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Paket / fall
TO-247-3

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