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1N8032-GA

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Artikelnummer
1N8032-GA
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
1N8032-GA.pdf
Gesamt:$192.57000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$192.57000

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Artikelnummer
1N8032-GA
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
Teilestatus
Obsolete
Diodentyp
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
2.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.3V @ 2.5A
Geschwindigkeit
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
5µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F
274pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-257-3
Supplier Device Package
TO-257
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 250°C

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