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H11A817B

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Artikelnummer
H11A817B
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
H11A817B.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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Artikelnummer
H11A817B
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
Teilestatus
Obsolete
Anzahl der Kanäle
1
Spannung - Isolation
5300Vrms
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.)
130% @ 5mA
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.)
260% @ 5mA
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)
2.4µs, 2.4µs
Eingabetyp
DC
Ausgabetyp
Transistor
Spannung - Ausgang (max.)
70V
Strom - Ausgang / Kanal
50mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
1.2V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.)
50mA
Vce-Sättigung (max.)
200mV
Betriebstemperatur
-55°C ~ 100°C
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package
4-DIP

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