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SQ1922EEH-T1_GE3

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Artikelnummer
SQ1922EEH-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V SC70-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SQ1922EEH-T1_GE3.pdf
Gesamt:$0.19259
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(In US-Dollar)
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$0.19259

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Artikelnummer
SQ1922EEH-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V SC70-6
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
Leistung max
1.5W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
SC-70-6

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